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[发明专利]纳米压印的方法-CN201810008147.3在审
发明人：邓丹丹;崔德虎;马小浩 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米压印的方法。一种纳米压印的方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底表面形成聚合物层；将聚合物层加热至软化，并对聚合物层远离衬底的一侧进行第一次压印，以在聚合物层上形成具有多个光栅线的第一纳米压印图形；及将聚合物层加热至软化，再对第一纳米压印图形进行第二次压印，以得到更精细的纳米压印图形。上述纳米压印的方法能够得到更精细的纳米压印图形；同时，不需要制作更精细的模板，在现有模板的基础上就可以制得更精细的纳米压印图形，不仅能够降低模板的制作时间和成本，而且还能够保证和提高纳米压印图形的产出率和良品率
纳米压印图形聚合物层纳米压印精细衬底压印加热软化衬底表面产出率光栅线良品率制作保证

[发明专利]一种多阶图形纳米压印的方法-CN202011446579.6在审
发明人：张琬皎;王伟俊 -专利权人：杭州欧光芯科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多阶图形纳米压印的方法。选择衬底；在衬底上形成纳米压印胶层或使用PMMA板；使用第一压印模具对PMMA板或加热至玻璃化温度的纳米压印胶层进行第一次压印；纳米压印胶层或PMMA板冷却固化，冷却固化后与第一压印模具分离，分离后形成第一纳米压印图形；使用第二压印模板对第一纳米压印图形进行第二次压印；纳米压印胶层或PMMA板冷却固化，冷却固化后与第二压印模具分离，分离后形成第二多阶纳米压印图形。本发明不受到最短曝光波长的物理限制，其分辨率只与模具图案尺寸有关，省去了采用图形复制的加工方法，具有效率高、成本低等优点。
一种图形纳米压印方法

[发明专利]纳米压印装置及其压印方法-CN201310688734.9在审
发明人：陈沁 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及纳米印刷技术领域，尤其是提供一种纳米压印装置的压印方法，包括如下步骤：提供一基底以及至少一个预设有纳米图形单元的压印版；所述压印版与所述基底对准，使所述压印版对所述基底施压并将所述纳米图形单元转移至所述基底上形成纳米图案单元，然后分离所述压印版和所述基底，完成一个压印周期；重复所述压印周期若干次，使所述基底上获得由若干个所述纳米图案单元形成的纳米图案阵列。本发明还提供这种纳米压印装置的结构。本发明通过仅具有纳米图形单元的压印版，将纳米图形单元周期性重复转移至基底上，形成纳米图案阵列。且压印方法灵活多变，方便可控，大大降低纳米图案阵列的制作成本和时长。
纳米压印装置及其方法

[发明专利]一种功能陶瓷材料表面图形化的方法-CN201610685050.7有效
发明人：程鑫;孙大陟;余波;李丹丹 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：一种功能陶瓷材料表面图形化的方法，包括如下步骤：(1)将热塑纳米压印胶加入溶剂中配制成纳米压印胶溶液；(2)将纳米粒子加入溶剂中配制成纳米粒子悬浮液；(3)向步骤(2)所得纳米粒子悬浮液中加入改性剂，分散；(4)将步骤(1)所得纳米压印胶溶液加入步骤(3)所得纳米粒子悬浮液中使溶剂挥发，获得陶瓷纳米压印胶；(5)利用纳米压印技术将步骤(4)所得陶瓷纳米压印胶的表面图形化；(6)将步骤(5)表面图形化后的陶瓷纳米压印胶进行高温烧结本发明的图形化方法无需刻蚀步骤，高温煅烧之后的陶瓷表面具有明显的图形化特征。
一种功能陶瓷材料表面图形方法

[发明专利]一种制备图形化的柔性或刚性衬底的方法-CN201710191386.2在审
发明人：程鑫;余波 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：一种制备图形化的柔性或刚性衬底的方法，包括如下步骤(1)将纳米压印胶涂布到衬底上；(2)使用柔性或者刚性模板利用纳米压印技术对纳米压印胶进行图形化，然后脱模；(3)将图形化后的纳米压印胶溶剂挥发后进行高温烧结本发明利用纳米压印对前驱体成功进行了图形化，烧结之后得到图形化的、结构完整的可弯折的陶瓷薄膜。本发明制备的柔性或者刚性陶瓷薄膜具有图形化的表面。
一种制备图形柔性刚性衬底方法

[发明专利]一种纳米压印结构的加工方法-CN202110867526.X在审
发明人：李其凡;史晓华 -专利权人：苏州光舵微纳科技股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及了一种纳米压印结构的加工方法，包括：步骤A：在基片表面涂覆一层纳米压印专用胶；步骤B：用目标图形尺寸的模板对所述纳米压印专用胶进行纳米压印制程，使所述目标图形尺寸复制转移在所述基片上面、获得图形掩膜，所述基片表面未被所述图形掩膜覆盖的区域形成压印底膜；步骤C：通过干法刻蚀工艺去除所述压印底膜，并形成所述基片表面的裸露区域；步骤D：将所述目标图形尺寸转移至所述基片上。通过上述设置，可解决目前纳米压印技术制备的芯片结构中压印底膜既影响后续刻蚀工艺、又影响后续剥离工艺导致的目标图形复制效果差或失真的问题。
一种纳米压印结构加工方法

[发明专利]纳米金属光栅的制备方法及纳米金属光栅-CN201710739576.3有效
发明人：侯俊;卢马才 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供纳米金属光栅的制备方法及纳米金属光栅，方法包括步骤：提供一基板，在基板上设置有金属层；在金属层上形成压印胶层；采用具有光栅周期图形的压印模板压印压印胶层；固化压印胶层，固化后移除压印模板，形成具有光栅周期图形的压印胶，在光栅周期图形的底部残留有压印胶；采用氧气灰化的方法去除残留压印胶，暴露出光栅周期图形的底部的金属层，并在暴露的金属层表面形成金属氧化物膜；去除具有光栅周期图形的压印胶；以金属氧化物膜为掩膜，图形化金属层，形成纳米金属光栅。本发明优点是，一、解决了现有技术中金属层氧化后刻蚀无法进行的难题；二、金属氧化物膜作为后续工艺的掩膜制作纳米金属光栅，且还可作为纳米金属光栅保护层。
纳米金属光栅制备方法

[发明专利]基板的纳米压印制备方法及其基板-CN201910479163.5在审
发明人：刘凡成 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基板的纳米压印制备方法，包括：提供具有纳米压印图形的软模板；提供基板组合，所述基板组合包括所述基板；根据所述软模板对所述基板组合进行压印，使得所述基板组合包括纳米图形，所述纳米图形与所述纳米压印图形相对应，所述纳米图形包括凹槽；在所述纳米图形的顶面上形成第一硬掩膜层，所述顶面不围绕所述凹槽；根据所述第一硬掩膜层对所述基板进行刻蚀，使得所述基板包括纳米结构。通过本发明，可以显著提高底胶掩膜的深宽比、获得高深宽比和高精度的纳米结构图形基板。
基板基板组合纳米图形纳米压印图形纳米压印硬掩膜层软模板制备纳米结构图形高深宽比纳米结构深宽比底胶顶面刻蚀压印掩膜

[发明专利]基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法-CN200810100954.4有效
发明人：刘兴华;徐德钰;朱效立;谢常青;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法，透明纳米压印模板是由电子束光刻制成纳米X射线曝光模版，该方法通过X射线曝光，将纳米图形转移到不导电的石英作为衬底的光刻胶上，显影后通过蒸发金属、剥离工艺，得到石英衬底上的金属纳米图形，将金属作为阻挡层使用反应离子刻蚀石英，得到石英上的纳米图形，去除金属完成透光纳米压印模板的制作。本发明解决了无法在不导电的衬底上电子束光刻得到高分辨率图形的问题。同时，本发明实现了透光纳米压印模板，为纳米压印提供了方便的对准手段，使紫外固化纳米压印成为可能。
基于射线曝光技术制作透光纳米压印模板方法

[发明专利]一种用于集成光电子器件的微纳图形的制作方法及应用-CN201210297193.2无效
发明人：余永林;赵家霖;唐怡超;赵航 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：发明公开了一种用于集成光电子器件的微纳图形的制作方法及应用，该方法包括：首先制作压印模版，并对压印模版和压印基片进行固定；然后将压印模版与压印基片对准并贴合，将压印模版的微纳图形压印到压印基片的压印光刻胶上；最后将转移到压印光刻胶上的微纳图形作为刻蚀掩膜，刻蚀得到所需的集成光电子器件微纳图形结构。本发明能解决纳米压印方法用于集成光电子器件制作中的对准问题，大大提高纳米压印微纳图形的成品率。
一种用于集成光电子器件图形制作方法应用

[发明专利]GaN HEMT器件的制作方法-CN201610141454.X在审
发明人：陈一峰 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN HEMT器件的制作方法，包括：提供生长衬底并在生长衬底表面涂覆压印胶；将具有纳米图形的压印模板压入压印胶并使压印模板的纳米图形与生长衬底直接接触，以在压印胶上形成与纳米图形相反的压印图形，压印图形为多个凹陷结构；刻蚀露出在凹陷结构内的生长衬底以在生长衬底上形成多个孔洞；去除压印胶，在生长衬底具有孔洞的表面横向生长成核层以及在成核层上形成GaN HEMT器件结构。
gan hemt 器件制作方法

[发明专利]一种线栅偏振器结构、显示基板母板及制作方法-CN201610399629.7有效
发明人：黄华 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种线栅偏振器结构、显示基板母板及制作方法，该线栅偏振器结构的制作方法用于在一衬底基板上制作多个显示基板的线栅偏振器，包括：在所述衬底基板上形成偏振器材料薄膜；对所述偏振器材料薄膜进行构图，形成多个过渡图形，其中，每一所述显示基板对应一过渡图形，每一所述过渡图形覆盖对应的显示基板的有效显示区域；在所述过渡图形上形成纳米压印材料薄膜；采用纳米压印模板，对所述纳米压印材料薄膜进行压印，形成压印图形；将所述压印图形作为刻蚀掩膜版，对所述过渡图形进行刻蚀，形成线栅偏振器的线栅结构。本发明可以解决现有技术中采用纳米压印工艺形成显示基板母板上的多个线栅偏振器时，难以精确对位的问题。
一种偏振结构显示母板制作方法

[发明专利]一种将纳米压印和电子束曝光结合的纳米图形制备方法-CN202310388682.7有效
发明人：王岩;郭丰 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种将纳米压印和电子束曝光结合的纳米图形制备方法，属于微电子技术领域，包括：步骤一、将纳米图形分为不变部分和可变部分，利用版图绘制工具将两者分别绘制版图，其中，不变部分版图上需包含电子束曝光套刻标记；步骤二、取不变图形版图，制备纳米压印模板，将纳米压印和电子束曝光两种纳米级高精度图形的制备方法有机结合，既满足了部分图形需要灵活调整的实验和生产要求，又能够极大的提高图形制备效率，在图形制备次序上，利用电子束曝光具有高套刻精度的特点，先做纳米压印再做电子束曝光，保证所制备图形具有良好的套刻精度。
一种纳米压印电子束曝光结合图形制备方法

[发明专利]一种GaN基HEMT低阻无金欧姆接触电极的制备方法-CN202310038378.X在审
发明人：李程程;吴畅;刘捷龙;郭涛;刘安;王凯;吴佳燕 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基HEMT低阻无金欧姆接触电极的制备方法，包括如下步骤：制备欧姆接触区纳米图形母版，采用热压印将母版图形复制到软聚合物薄膜上，得到中间软模版；在GaN基晶圆势垒层表面匀涂一层纳米压印胶；将中间软模版置于纳米压印胶表面，利用纳米压印技术将纳米图形转移至纳米压印胶上；采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术去除纳米图形底部的纳米压印胶残胶，暴露出势垒层；采用干法刻蚀技术将势垒层完全刻蚀去除，并刻蚀至二维电子气以下，形成纳米开孔阵列；去除晶圆表面剩余的纳米压印胶；在源漏区依次沉积多层无金欧姆金属，在500～700℃下进行合金退火处理，形成源漏电极。
一种 gan hemt 低阻无金欧姆接触电极制备方法

[发明专利]一种纳米压印的图形修饰方法-CN202211596560.9在审
发明人：闫士波;丁建峰;王刚;潘晓忠;姚志炎 -专利权人：徐州美兴光电科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米压印的图形修饰方法，涉及蓝宝石图形化衬底技术领域；为了提升处理效果；包括如下步骤：第一步刻蚀，扫描蚀刻，使用氧气，铲除掉纳米压印技术残留得底膜，减小纳米压印图形顶宽；第二步刻蚀，主蚀刻，提升选择比，累计足够得高度和宽度；第三步刻蚀，过度蚀刻，修饰图形形貌，改善图形侧壁弧度，剔除褶皱；所述底膜残留情况和纳米压印图形顶宽通过SEM量测确认，第一步刻蚀结束时纳米压印图形顶宽比底宽小0.2‑本发明提出的图形修饰方法，设置扫描蚀刻、主蚀刻、过度蚀刻的具体方式，并对其每一环节的功率、流量进行限定，能够确保图形间隙底部平坦，侧壁弧度小，无褶皱等异常，保障了处理效果。
一种纳米压印图形修饰方法

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